作者：Analog CMOS
不僅可以做電容、電阻，還可以做：電感、MOS管、三極管、二極管等
平時(shí)消費(fèi)者看到的成品是這樣子
打開黑色外套，內(nèi)部核心大概長(zhǎng)這樣子
里面應(yīng)該會(huì)有的典型器件：
1. 電容有poly 電容 MOS電容 MOM電容
2. 電阻：有poly電阻diffusion電阻
3. 電感
4. 二極管
5. 三極管
IC的制作過(guò)程實(shí)際上就是在硅襯底上多次反復(fù)進(jìn)行薄膜形成、光刻、摻雜等加工。
具體操作有刻蝕、注入、蒸發(fā)、濺射、生長(zhǎng)、沉淀、冷卻、退火等復(fù)雜的工藝。
工藝步驟
1. 潔凈工藝
給硅片提供潔凈的環(huán)境
2. 氧化工藝
3. 薄膜工藝
IC的制作過(guò)程實(shí)際上就是在硅襯底上多次反復(fù)進(jìn)行薄膜形成、光刻、摻雜等加工。
4. 光刻工藝
把（掩膜版上的）圖形轉(zhuǎn)移到硅片上
5. 摻雜工藝
摻雜就是將硼、磷、砷等元素加到硅圓片內(nèi)或多晶硅等薄膜內(nèi)，改變其雜質(zhì)濃度，以改變硅片的性質(zhì)，如從n型變成p型、從p型變成n型，或改變其電阻率。
6. 刻蝕工藝
刻蝕就是利用光刻膠或其它材料作掩蔽層，對(duì)沒(méi)有保護(hù)的區(qū)域進(jìn)行腐蝕，最終實(shí)現(xiàn)掩膜版圖形變成硅片上圖形的圖形轉(zhuǎn)移。
7. 平坦化工藝
在集成電路工藝發(fā)展過(guò)程中，隨著加工層數(shù)的增加，出現(xiàn)了表面的臺(tái)階高差越來(lái)越大的問(wèn)題。
一個(gè)簡(jiǎn)單的兩個(gè)器件組成的反相器，至少經(jīng)過(guò)前面的幾個(gè)最基本操作，才能實(shí)現(xiàn)
